1N5819
Diodo Schottky de 1 A - caída de tensión baja, conmutación rápida.
Datasheet típico: Onsemi 1N5819 (PDF) (familia 1N5817-19)
Specs
| Spec | Valor |
|---|---|
| Tipo | Schottky |
| Corriente max () | 1 A |
| Tensión inversa () | 40V |
| Caída tensión () | ~0.45 V típ @ 1 A, 0.6 V max @ 1 A (onsemi Fig 7 + Electrical Char). La regla “~0.3V” aplica solo a baja corriente |
| Tiempo de recuperación | Schottky - sin recovery por almacenamiento de portadores minoritarios (sub-ns efectivo) |
| Package | DO-41 |
Cuándo usar Schottky en vez de rectificador silicio
- Protección de polaridad invertida en alimentación - la caída de 0.3V vs 0.7V importa cuando perdés tensión en serie
- PWM rápido / fuentes conmutadas - recovery rápido evita pérdidas
- Flyback en MOSFETs de switching rápido - más eficiente que 1N4007
Para cargas inductivas a baja frecuencia, el 1N4007 es más barato y alcanza.
Variante de mayor corriente
1N5822 - Schottky de 3 A.