IRLZ44N

MOSFET N-channel logic-level - apto para conmutar grandes corrientes con señal de 3.3V o 5V.

Datasheet: Infineon IRLZ44N (PDF)

Specs

Spec	Valor
Tipo	MOSFET N-channel
Corriente max (I_D)	47 A continuos @ TC=25\,^\circ\text{C} (33 A @ TC=100\,^\circ\text{C})
Tensión máx Vds	55V
Vgs(th)	1.0-2.0V (logic-level - se satura con 3.3V o 5V)
Rds(on)	$22\text{m}\Omega$ máx @ Vgs=10V ($25\text{m}\Omega$ @ Vgs=5V)
Package	TO-220

Cuándo elegirlo

• Cargas > 1A (motores DC, calefactores, LEDs de potencia, electroválvulas grandes)
• Conmutación directa desde GPIO ESP32 (3.3V activa el gate completamente)

Circuito típico

graph LR
    GPIO["ESP32 GPIO"] -->|Gate| M(["IRLZ44N"])
    V["+Vcc"] --> L["Carga"] --> M
    M -->|Source| GND["GND"]

Para gate de alta velocidad (PWM > 10 kHz), agregar resistor $100\Omega$ en serie al gate + pull-down $10\text{k}\Omega$. Para cargas inductivas, diodo flyback (Schottky tipo 1N5822) en antiparalelo con la carga.

Vs Darlington TIP120

IRLZ44N: $R_{DS(on)}=22\text{m}\Omega$ max → a 1 A disipa solo $1^2\cdot 0.022=22\text{mW}$ (verificado en datasheet Infineon, Electrical Characteristics).

TIP120: $V_{CE(sat)}=2\text{V}$ max @ 3 A, $4\text{V}$ max @ 5 A (datasheet onsemi). A 1 A la curva indica ~1 V → ~1 W disipados solo en el transistor. La diferencia crece con la corriente: a 5 A, el MOSFET disipa 0.55 W vs ~20 W del TIP120.

Para cargas >1 A, MOSFET es preferible por eficiencia y disipación.